對半導體研發工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究內核。

然而，受限于專業分析設備的缺乏，再加上芯片內部設計涉及機密，工程師難以深入了解其底層構造，這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時，常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節，也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 紅外成像可以不破壞芯片封裝，嘗試定位未開封芯片失效點并區分其在封裝還是 Die 內部，利于評估芯片質量。實時成像微光顯微鏡圖像分析

適用場景的分野，進一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產檢測中，微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查，助力提升產品良率，降低批量報廢風險；而在功率器件、車規芯片的可靠性測試中，熱紅外顯微鏡對熱分布的監測，成為驗證產品穩定性的關鍵環節。實際檢測中，二者常組合使用：微光顯微鏡定位電缺陷后，熱紅外顯微鏡可進一步分析該缺陷是否引發異常發熱，形成 “光 - 熱” 聯動的全維度分析，為企業提供更佳的故障診斷依據。工業檢測微光顯微鏡性價比支持自定義檢測參數，測試人員可根據特殊樣品特性調整設置，獲得較為準確的檢測結果。

得注意的是，兩種技術均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區一側觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據芯片結構、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統先通過EMMI與OBIRCH的協同掃描定位可疑區域，隨后結合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學顯微鏡的細節觀察，進一步界定缺陷的物理形態（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗證-溯源”的完整閉環，使得PEM系統在半導體器件與集成電路的失效分析領域得到了關鍵的應用。

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憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研院所及企業認可使用，性能佳，廣受贊譽。

考慮到部分客戶的特殊應用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務。無論是設備的功能模塊調整、性能參數優化，還是外觀結構適配，我們都能根據您的具體需求進行專屬設計與研發。憑借高效的研發團隊和成熟的生產體系，定制項目通常在 2-3 個月內即可完成交付，在保證定制靈活性的同時，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時且滿意的**。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務，期待與您攜手共進，共創佳績。針對納米級半導體器件，搭配超高倍物鏡，能分辨納米尺度的缺陷發光，推動納米電子學研究。什么是微光顯微鏡新款

靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。實時成像微光顯微鏡圖像分析

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理，就可以精確地定位發光點的位置，實現對失效點的精確定位。進一步地，為了提升定位的準確性，可采用多種圖像處理技術進行優化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術，突出顯示發光點的邊緣特征，從而提高定位精度。實時成像微光顯微鏡圖像分析

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