形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結構加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機的亞微米級定位精度，幫助科研團隊在鎳鈦合金薄膜上刻制出復雜驅動電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實現 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達 50mN，較傳統微加工方法性能提升 50%。該技術被應用于微納操作機器人，在單細胞膜片鉗實驗中成功率從 40% 提升至 75%，為細胞級precise操作提供了關鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優化參數降低側壁粗糙度。天津德國POLOS光刻機

針對植入式**設備的長期**性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm?，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發出的可降解心率監測器，在體內降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。四川德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米無掩模技術優勢：摒棄傳統掩模，圖案設計實時調整，研發成本直降 70%。

在微流體領域，Polos系列光刻機通過無掩模技術實現了復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結構的批量生產，推動**診斷芯片的研發。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。

在構建肝臟芯片的血管化網絡時，某生物工程團隊使用 Polos 光刻機實現了跨尺度結構制備。其無掩模技術在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內皮細胞貼壁率達 95%，較傳統光刻提升 30%。通過輸入 CT 掃描的真實肝臟血管數據，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細胞功能維持時間從 7 天延長至 21 天。該技術為藥物肝毒性測試提供了接近體內環境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關成果登上《Lab on a Chip》封面。實時觀測系統：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實現加工過程動態監控。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構。其激光直寫技術在 10nm 厚度的 HfO?介質層上實現了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統 GPU 提升兩個數量級。基于該技術的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。微流體3D成型：復雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統研發。廣東德國PSP-POLOS光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。天津德國POLOS光刻機

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm?/(V?s)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結，使器件研發效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。天津德國POLOS光刻機