針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪加工6吋SiC線割片，磨耗比為15%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。高精度砂輪制程工藝

作為激光改質層減薄砂輪的專業制造商，江蘇優普納科技有限公司憑借先進的生產設備和技術團隊，在行業內樹立了良好的**。我們致力于研發高性能的磨削工具，以滿足客戶在不同加工領域的需求。公司擁有一系列自主研發的激光改質技術，能夠根據客戶的具體要求，提供定制化的砂輪解決方案。此外，江蘇優普納科技有限公司注重與客戶的溝通與合作，提供全方面的技術支持和服務，確保客戶在使用我們的產品時能夠獲得更佳的加工效果。我們相信，憑借我們的技術優勢和服務理念，江蘇優普納科技有限公司將在激光改質層減薄砂輪市場中繼續保持先進地位。碳化硅砂輪行業在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，優普納砂輪對6吋SiC線割片進行粗磨，磨耗比11%，Ra≤30nm TTV≤3μm。

江蘇優普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產能突破10萬片。這一案例驗證了國產砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，展現了強大的設備適配性。其基體優化設計能夠根據客戶不同設備需求進行定制，無論是東京精密還是DISCO的減薄機，都能完美適配。這種強適配性不只減少了客戶在設備調整上的時間和成本，還確保了加工過程的高效性和穩定性。在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納砂輪都能保持穩定的性能，滿足不同加工需求。這種綜合優勢，使得優普納的砂輪在市場上更具競爭力，能夠快速響應客戶需求，為客戶提供一站式的解決方案。從粗磨到精磨，優普納砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上的應用，驗證了其在不同加工階段的穩定性和高效性。

在半導體加工領域，精度和效率是關鍵。江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，通過其**超細金剛石磨粒**和**超高自銳性**，實現了高磨削效率和低損傷的完美平衡。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，還為客戶節省了大量時間和成本，助力優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中占據重要地位。基體優化設計的優普納砂輪，減少振動，增強冷卻液流動，提升加工效率與質量，適配不同設備，展現強適配性。江蘇砂輪測試

優普納砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上，對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比**，Ra≤3nm，TTV≤2μm。高精度砂輪制程工藝

在第三代半導體材料加工領域，江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現出優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。高精度砂輪制程工藝